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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 500 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Compatible Microsoft eDrive, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Surveillance de température, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, prise en charge TRIM
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Largeur | | 22.15 mm
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Profondeur | | 80.15 mm
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Hauteur | | 2.38 mm
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Poids | | 8 g
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Performances | |
Endurance SSD | | 300 TB
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Débit de transfert interne | | 3400 Mo/s (lecture) / 2300 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 450000 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 370000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 10 Watt (maximum configurable actif)
5.7 Watt (actif)
30 mW (max. veille)
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Divers | |
Normes de conformité | | IEEE 1667
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g @ 0.5 ms half-sine
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