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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 256 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.1 (NVMe)
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Caractéristiques | | Prise en charge TRIM, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, Bad Block Management, Over Provision, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 80 mm
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 1600 Mo/s (lecture) / 850 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 256321 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 167833 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 3 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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