Caractéristiques | | Technologie 3D NAND à 112 couches, Bad Block Management, Power Shield, technologie Early Move, prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, technologie Anti-sulfur, Read Disturbance, thermal sensor, Régulation thermique dynamique, Température large, température étendue, technologie Corner Bond, pointe dorée de la carte circuit imprimé, DDR3 DRAM Cache, cycles 3K P/E (programme/cycles d'effacement), mode DevSleep, technologie StaticDataRefresh, Global Wear Leveling, S.M.A.R.T.
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