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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 15.36 To
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule 3D à quatre niveaux (QLC)
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Format | | E1.L 18mm
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Interface | | PCIe 3.1 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Enhanced Power Loss Data Protection, 3D NAND Technology
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 3200 Mo/s (lecture) / 1600 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 580000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 15000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E1.L 18mm
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 20 Watt (actif) 5 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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