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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0

SSD - chiffré - 1 To - interne : M.2 2280, PCIe 5.0 x2 (NVMe), AES 256 bits, TCG Opal Encryption 2.0

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Photo non contractuelle

Référence Samsung : MZ-V9S1T0BW
Référence PC21 : SNG180633

-31%	79,41 €	HT	(115,52)
	95,29 €	TTC	(138,62)
Taxes incluses (Eco-Part, RPCP, Copy) : 0,08 € HT

EN STOCK 506 pièces EXPEDIE EN 24/48 H
	Poids brut : 0.07 Kg (avec emballage)	Mise à jour le 26/04/2025 à 17:16

PC21 Services propose des services d’installation, d’assistance, de dépannage et de maintenance informatique aux entreprises et aux particuliers.
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FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 EVO PLUS MZ-V9S1T0

Le Samsung 990 EVO Plus est un disque dur interne conçu pour les applications exigeantes. D'une capacité de 1 To, il offre un espace de stockage suffisant pour une grande variété de fichiers et d'applications. Le disque utilise PCI Express 5.0 et affiche des débits de données internes allant jusqu'à 7150 MBps, ce qui permet une récupération rapide des données et des temps de chargement minimes. La technologie V-NAND TLC de Samsung améliore les performances et l'endurance, ce qui le rend adapté à l'informatique quotidienne et aux tâches intensives. Ce disque est conçu pour résister à un large éventail de conditions environnementales, fonctionnant efficacement à des températures allant de 0°C à 70°C et supportant des températures de stockage aussi basses que -40°C et aussi élevées que 85°C. Il prend en charge la fonction TRIM et dispose d'un algorithme de collecte automatique des déchets, ce qui garantit des performances optimales au fil du temps. La sécurité est une priorité avec le cryptage matériel et la conformité avec TCG Opal Encryption 2.0, protégeant les données contre les accès non autorisés.

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Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Algorithme de chiffrement

Type de mémoire flash NAND

3 bits par cellule (TLC)

Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667

Débit de transfert interne

7150 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)

Écriture aléatoire 4 Ko maximum

Lecture aléatoire maximale 4 ko

Consommation électrique

4.3 Watt (lecture)
4.2 Watt (écriture)
60 mW (en attente)
5 mW (veille)

Samsung Magician Software

Composition du châssis

Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans/600 TBW

Température minimale de fonctionnement

Température maximale de fonctionnement

Résistance aux chocs (au repos)

Tolérance aux vibrations (au repos)

Date de référencement 28/09/2024 à 06:55 Date de modification 26/04/2025 à 07:12 s Référence Samsung : MZ-V9S1T0BW EAN : 8806095575674

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Général
Type de périphérique		Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité		1 To
Cryptage matériel		Oui
Algorithme de chiffrement		AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND		3 bits par cellule (TLC)
Format		M.2 2280
Interface		PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caractéristiques		Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Largeur		22.15 mm
Profondeur		80.15 mm
Hauteur		2.38 mm
		9 g

Performances
Débit de transfert interne		7150 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum		1350000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko		850000 IOPS

Fiabilité
Fiabilité MTBF		1.500.000 heures

Expansion et connectivité
Baie compatible		M.2 2280

Alimentation
Consommation électrique		4.3 Watt (lecture) 4.2 Watt (écriture) 60 mW (en attente) 5 mW (veille)

Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus		Samsung Magician Software

Divers
Composition du châssis		Revêtement nickel

Garantie du fabricant
Service et maintenance		Garantie limitée - 5 ans/600 TBW

Caractéristiques denvironnement
Température minimale de fonctionnement		0 °C
Température maximale de fonctionnement		70 °C
Résistance aux chocs (au repos)		1500 g @ 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos)		20 g @ 20-2000 Hz

Quantité ajoutée :

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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 SSD - chiffré - 1 To - interne : M.2 2280, PCIe 5.0 x2 (NVMe), AES 256 bits, TCG Opal Encryption 2.0

FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 EVO PLUS MZ-V9S1T0

Général

Performances

Fiabilité

Expansion et connectivité

Alimentation

Logiciels & Configuration requise

Divers

Garantie du fabricant

Caractéristiques denvironnement

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Caractéristiques denvironnement