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Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW

SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

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Photo non contractuelle

Référence Samsung : MZ-V9P4T0BW
Référence PC21 : SNG116633

-32%	362,82 €	HT	(533,23)
	435,38 €	TTC	(639,87)
Taxes incluses (Eco-Part, RPCP, Copy) : 0,02 € HT

EN STOCK 107 pièces EXPEDIE EN 24/48 H
	Poids brut : 0.07 Kg (avec emballage)	Mise à jour le 28/04/2024 à 11:18

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FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 PRO MZ-V9P4T0BW

Le disque dur Samsung 990 PRO combine une grande capacité de stockage, des vitesses de transfert de données rapides et des fonctions de sécurité avancées dans une solution de stockage fiable et efficace. Avec une capacité de 4 To, il offre suffisamment d'espace pour les grandes bibliothèques numériques, tandis que l'interface PCI Express 4.0 x4 (NVMe) garantit un accès rapide aux données et des vitesses de transfert allant jusqu'à 7450 MBps en lecture et 6900 MBps en écriture. Une sécurité avancée est assurée par le chiffrement matériel AES 256 bits, protégeant les données sensibles contre les accès non autorisés. En outre, des fonctions telles que la protection Dynamic Thermal Guard et les modes de faible consommation d'énergie garantissent un fonctionnement efficace et sûr du disque, ce qui en fait un choix idéal pour les applications exigeantes et les environnements multitâches.

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Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Algorithme de chiffrement

Type de mémoire flash NAND

Cellule multiniveaux (MLC)

Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.

Débit de transfert interne

7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)

Écriture aléatoire 4 Ko maximum

Lecture aléatoire maximale 4 ko

PCI Express 4.0 x4 (NVMe)

Consommation électrique

5.5 Watt (moyenne)
55 mW (inactif)

Samsung Magician Software

Normes de conformité

Température minimale de fonctionnement

Température maximale de fonctionnement

Résistance aux chocs (en fonctionnement)

Résistance aux chocs (au repos)

Date de référencement 14/07/2023 à 06:45 Date de modification 28/04/2024 à 07:04 s Référence Samsung : MZ-V9P4T0BW EAN : 8806094947205

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Général
Type de périphérique		Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité		4 To
Cryptage matériel		Oui
Algorithme de chiffrement		AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND		Cellule multiniveaux (MLC)
Format		M.2 2280
Interface		PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques		Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Caractéristiques		Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.
Largeur		22 mm
Profondeur		80 mm
Hauteur		2.3 mm
Poids		9 g

Performances
Débit de transfert interne		7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum		1550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko		1600000 IOPS

Fiabilité
Fiabilité MTBF		1,500,000 heures

Expansion et connectivité
Interfaces		PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Baie compatible		M.2 2280

Alimentation
Consommation électrique		5.5 Watt (moyenne) 55 mW (inactif)

Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus		Samsung Magician Software

Divers
Normes de conformité		IEEE 1667

Caractéristiques denvironnement
Température minimale de fonctionnement		0 °C
Température maximale de fonctionnement		70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)		0.5 ms half-sine
Résistance aux chocs (au repos)		1500 g

Quantité ajoutée :

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Général

Performances

Fiabilité

Expansion et connectivité

Alimentation

Logiciels & Configuration requise

Divers

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