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               Général | 
                  |  | 
                    
                Type de périphérique  |  | Lecteur à semi-conducteurs - interne 
                 | 
                    
                Capacité  |  | 15.36 To 
                 | 
                    
                Cryptage matériel  |  | Oui 
                 | 
                    
                Algorithme de chiffrement  |  | 
                 | 
                    
                Type de mémoire flash NAND  |  | 3D triple-level cell (TLC) 
                 | 
                    
                Format  |  | E1.S 
                 | 
                    
                Interface  |  | PCI Express 5.0 x4 (NVMe) 
                 | 
                    
                Octets par secteur  |  | 512 
                 | 
                    
                Caractéristiques  |  | Open Compute Project 2.0, NVM Express (NVMe) 2.0b, fonction Wear Leveling statique, Dynamic Wear Leveling, protection des chemins de données de bout en bout, Protection de perte de puissance (PLP), Insertion surprise possible, Déplacement de surprise possible, prise en charge de remplacement à chaud, mise à niveau du micrologiciel sans réinitialisation, S.M.A.R.T. 
                 | 
                    
                Largeur  |  | 33.75 mm 
                 | 
                    
                Profondeur  |  | 
                 | 
                    
                Hauteur  |  | 15 mm 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
             |   | 
                    
                Écritures de lecteur par jour (DWPD)  |  | 1 
                 | 
                    
                Endurance SSD  |  | 104.5 TB 
                 | 
                    
                Classe d'entraînement  |  | Enterprise 
                 | 
                    
                Débit de transfert interne  |  | 14000 Mo/s (lecture) / 10000 Mo/s (écriture) 
                 | 
                    
                Lecture aléatoire 4 Ko  |  | 3300000 IOPS 
                 | 
                    
                Écriture aléatoire 4 Ko  |  | 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
            Fiabilité |   | 
                    
                Fiabilité MTBF  |  | 2,500,000 heures 
                 | 
                    
                Erreurs irrécupérables  |  | 1 sur 10^17 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
            Expansion et connectivité |   | 
                    
                Interfaces  |  | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe) 
                 | 
                    
                Baie compatible  |  | E1.S 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
            Alimentation |   | 
                    
                Consommation électrique  |  | 18 Watt (lecture séquentielle)   16 Watt (écriture séquentielle)   5 Watt (inactif) 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
            Divers |   | 
                    
                Normes de conformité  |  | FCC, UL, cUL, BSMI, RCM, KC, RRL, WEEE, TUV, VCCI, IC, Morocco, UkrSEPRO, UKCA 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
             |   | 
                    
                Service et maintenance  |  | Garantie limitée - 5 ans 
                 | 
                    
                    |   |   | 
            
            Caractéristiques denvironnement |   | 
                    
                Température minimale de fonctionnement  |  | 0 °C 
                 | 
                    
                Température maximale de fonctionnement  |  | 70 °C 
                 |