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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 7680 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | E1.S
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Interface | | PCIe 4.0 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Data Path Protection, non-SED, 3D NAND Technology, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, Read Intensive, technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, CMOS sous réseau (CuA)
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Caractéristiques | | 3D NAND Technology, CMOS sous réseau (CuA), Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Read Intensive, Démarrage sécurisé, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, non-SED
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Hauteur | | 5.9 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 14000 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise
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Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 5600 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 1000000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 215000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 (NVMe)
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Baie compatible | | E1.S
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 12 Watt (lecture séquentielle) 14 Watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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