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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | U.2 PCIe 3.1 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Contrôle thermique adaptatif, protection des chemins de données de bout en bout, Dual Port, technologie RAIN, prise en charge de remplacement à chaud, protection de perte de puissance des données, technologie 3D NAND à 96 couches, Firmware sécurisé, réinitialisation du sous-système NVMe, interface de gestion NVMe (NVMe-MI) sur SMBus, prise en charge du champ d'intégrité des données (DIF) T10, activation du micrologiciel sans réinitialisation
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Hauteur | | 7 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 1.9 PB
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Classe d'entraînement | | Read Intensive
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Débit de transfert interne | | 2400 Mo/s (lecture) / 850 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 220000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 45000 IOPS
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Temps de latence moyen | | 25 µs
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 12 Watt (lecture séquentielle)
12 Watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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