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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1024 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3 bits par cellule (TLC)
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Format | | M.2 2280 S3-M
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Interface | | PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Prise en charge TRIM, Idle Time Garbage Collection, NVM Express (NVMe) 2.0, flash BiCS
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Largeur | | 22.15 mm
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Profondeur | | 80.15 mm
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Hauteur | | 2.38 mm
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Poids | |
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Performances | |
Endurance SSD | | 600 TB
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Débit de transfert interne | | 14400 Mo/s (lecture) / 12700 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 2000000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 1900000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | M.2 2280 S3-M
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Alimentation | |
Tension requise | | 3.3 V
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Consommation électrique | | 9.6 watt (actif)
5 mW (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | |
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 20-2000 Hz
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