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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1 To
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | |
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Interface | | PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | 3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Collection, prise en charge TRIM, NVMe 2.0
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Largeur | | 22.15 mm
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Profondeur | | 80.15 mm
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Hauteur | | 2.38 mm
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| | 5.6 g
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Performances | |
Endurance SSD | | 600 TB
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Débit de transfert interne | | 10000 Mo/s (lecture) / 7900 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 1300000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 1400000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | |
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - clé M.2 M
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 5.3 Watt (actif) 5 mW (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | | ROHS Directive 2011/65/EU
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 20-2000 Hz
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