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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 500 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3 bits par cellule (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.1 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | NVM Express (NVMe) 1.3c, 3D BiCS Flash, prise en charge TRIM, Idle Time Garbage Collection
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Largeur | | 22.15 mm
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Profondeur | | 80.15 mm
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Hauteur | | 2.23 mm
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Poids | | 6.8 g
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Performances | |
Endurance SSD | | 200 TB
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Débit de transfert interne | | 2100 Mo/s (lecture) / 1700 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 400000 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 400000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - clé M.2 M
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 3.5 Watt (actif)
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Divers | |
Normes de conformité | | RoHS
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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