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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1024 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.1a x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Technologie 3D NAND à 96 couches, 3D BiCS Flash, Storage Interface Interactions Specification(SIIS), NVM Express (NVMe) 1.3a
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 80 mm
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Hauteur | | 2.23 mm
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Poids | | 7.3 g
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 3180 Mo/s (lecture) / 2960 Mo/s (écriture)
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1a x4 (NVMe) - clé M.2 M
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 4.2 Watt (lecture) 4.7 Watt (écriture)
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Divers | |
Normes de conformité | | VCCI, ICES-003, EN55024, CISPR 22, FCC Part 15 B, UL 60950-1, EN 60950-1, BSMI CNS 13438, CAN/CSA C22.2 No. 60950-1-07, KN32, KN35, EN 55032, AS/NZS CISPR 32
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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