| ↓ Rechercher un autre produit par critères |
Général |
| |
Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
|
Capacité | | 2048 Go
|
Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
|
Format | | M.2 2280
|
Interface | | M.2 Card
|
Caractéristiques | | Read-Intensive Endurance, Enterprise, 64-layer 3D BiCS FLASH, Host Controlled Thermal Management (HCTM), Strong and highly-efficient ECC (QSBC), TCG Pyrite, Storage Interface Interactions Specification(SIIS)
|
Largeur | | 22 mm
|
Profondeur | | 80 mm
|
Hauteur | | 2.23 mm
|
Poids | | 7.3 g
|
| |
Performances | |
Débit de transfert interne | | 3000 Mo/s (lecture) / 2100 Mo/s (écriture)
|
Lecture aléatoire 4 Ko | | 320000 IOPS
|
Écriture aléatoire 4 Ko | | 265000 IOPS
|
| |
Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
|
| |
Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x M.2 Card - M.2 Card
|
Baie compatible | | M.2 2280
|
| |
Alimentation | |
Consommation électrique | | 4.9 Watt (lecture) 4 Watt (écriture)
|
| |
Divers | |
Normes de conformité | | ICES-003, EN55024, FCC Part 15 B, UL 60950-1, EN 60950-1, BSMI CNS 13438, CAN/CSA C22.2 No. 60950-1-07, KN32, KN35, EN 55032, AS/NZS CISPR 32
|
| |
Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
|
| |
Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
|
Température maximale de fonctionnement | | 80 °C
|
Température de stockage mini | | -40 °C
|
Température de stockage maxi | | 85 °C
|
Taux d'humidité en fonctionnement | | 8-90 % sans condensation
|
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
|
Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
|
Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 10-2000 Hz
|