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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 512 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Flash Toshiba BiCS3, HMB (Host Memory Buffer) pris en charge, prise en charge TRIM, NVM Express (NVMe) 1.3, lumière RGB, S.M.A.R.T., AES 256 bits
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 3480 Mo/s (lecture) / 2000 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 360000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 440000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,800,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 5485 mW (lecture) 4085 mW (écriture) 272 mW (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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