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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs
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Capacité | | 960 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Caractéristiques | | 3D NAND Technology, protection des chemins de données de bout en bout, Enhanced Power Loss Data Protection, mise en sécurité thermique, Standard Endurance Technology (SET), 144 couches Intel 3D NAND TLC, S.M.A.R.T., AES 256 bits
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Largeur | | 70 mm
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Profondeur | | 100 mm
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Hauteur | | 7 mm
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Poids | | 70 g
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Performances | |
| | 3
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Endurance SSD | | 5.3 PB
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Classe d'entraînement | | Read Intensive
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Débit de transfert du lecteur | | 600 Mo/s (externe)
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Débit de transfert interne | | 550 Mo/s (lecture) / 510 Mo/s (écriture)
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| | 90000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 43000 IOPS
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Temps de latence moyen | | 36 µs
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | |
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x SATA 6 Gb/s
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| | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 3 Watt (typique)
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Divers | |
Normes de conformité | | FCC Part 15 Class B, FCC Title 47, EN 55032:2012, EN 55035:2017, EN55022:2006, LVD 2014/35/EU, EMC 2014/30/EU, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2012/19/EU, UL 60950 Second Edition, CSA C22.2 No. 60950-1-07 Second Edition, UL/CSA/EN 62368-1, AS/NZS CISPR 32:2015, AS/NZS CISPR22:2009+A1:2010, BSMI CNS 13438, KCC Article 11.1, Morocco, ICES-003, VCCI, China EFUP
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Garantie du fabricant | |
| | Garantie limitée - 1 an
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ 0,5 ms
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1000 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 2.17 g @ 5-700 Hz
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 3.13 g @ 5-800 Hz
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Information de compatibilité | |
Conçu pour | | Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M (2.5") Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N (2.5")
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