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Lenovo THINKSYSTEM 2.5 7MM U.3 7450 P RO 960GB READ INTENSIVE

THINKSYSTEM 2.5 7MM U.3 7450 P RO 960GB READ INTENSIVE

Photo non contractuelle

Référence Lenovo : 4XB7A13975
Référence PC21 : LVO486293

		1258,95 €	HT
		1510,74 €	TTC

SUR COMMANDE Stock 0 pièce
	Poids brut : 0.7 Kg (avec emballage)	Mise à jour le 09/05/2025 à 23:17

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FICHE TECHNIQUE LENOVO THINKSYSTEM 2.5 7MM U.3 7450 P RO 960GB READ INTENSIVE

Les disques SSD NVMe à lecture intensive ThinkSystem 7450 PRO sont une famille de disques durs à semi-conducteurs NVMe polyvalents mais très performants. Ils sont conçus pour offrir de meilleures performances et une plus grande endurance dans une conception économique, et pour prendre en charge un ensemble plus large de charges de travail. Avec le cryptage SED en standard, ces disques contribuent à garantir la sécurité des données, même lorsque le disque est retiré du serveur.Non-Volatile Memory Express (NVMe) est une technologie SSD PCIe haute performance qui offre un débit d'E/S élevé et une faible latence. Les interfaces NVMe éliminent les goulets d'étranglement SAS/SATA et libèrent toutes les capacités de la mémoire flash NAND contemporaine. Chaque disque SSD NVMe PCI dispose d'une connexion PCIe x4 directe, qui fournit au moins deux fois plus de bande passante et deux fois moins de latence que les solutions SSD basées sur SATA/SAS. Les disques NVMe sont également optimisés pour les charges de travail multithread lourdes en utilisant le parallélisme interne et de nombreuses autres améliorations, telles que des files d'attente d'E/S élargies.

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Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Type de mémoire flash NAND

3D triple-level cell (TLC)

U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Contrôle thermique adaptatif, protection des données de bout en bout, Advanced ECC Engine, architecture avancée de protection contre les pertes de puissance, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, Technologie 3D TLC NAND à 176 couches, S.M.A.R.T.

Écritures de lecteur par jour (DWPD)

Classe d'entraînement

Débit de transfert interne

6800 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture)

Lecture aléatoire 4 Ko

Écriture aléatoire 4 Ko

Temps de latence moyen

Erreurs irrécupérables

1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)

Consommation électrique

10 Watt (lecture)
7 Watt (écriture)

Normes de conformité

ICES-003 Class B, EN55024 Class B, RoHS, IEC60950/EN60950, WEEE 2012/19/EC, CNS 13438 Class B, KN32 Class B, VCCI 2015.04 Class B, KN35 Class B, CNS 15663, 47 CFR Part 15 Class B, AS/NZS CISPR32 Class B, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS, UL-60950-1 2nd Edition, EN55032 Class B

Service et maintenance

Garantie limitée - remplacement - 1 an

Température minimale de fonctionnement

Température maximale de fonctionnement

Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Résistance aux chocs (au repos)

Tolérance aux vibrations (au repos)

Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M
Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N

Date de référencement 24/10/2023 à 06:56 Date de modification 09/05/2025 à 07:12 s Référence Lenovo : 4XB7A13975 EAN : 0000088948911

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Général
Type de périphérique		Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité		960 Go
Cryptage matériel		Oui
Type de mémoire flash NAND		3D triple-level cell (TLC)
Format		2.5"
Interface		U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques		Contrôle thermique adaptatif, protection des données de bout en bout, Advanced ECC Engine, architecture avancée de protection contre les pertes de puissance, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, Technologie 3D TLC NAND à 176 couches, S.M.A.R.T.
Largeur		70 mm
Profondeur		100 mm
Hauteur		7 mm
Poids		70 g

Performances
Écritures de lecteur par jour (DWPD)		1
Endurance SSD		1700 TB
Classe d'entraînement		Read Intensive
Débit de transfert interne		6800 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko		530000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko		85000 IOPS
Temps de latence moyen		15 µs

Fiabilité
Fiabilité MTBF		2,000,000 heures
Erreurs irrécupérables		1 sur 10^17

Expansion et connectivité
Interfaces		1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Baie compatible		2.5"

Alimentation
Consommation électrique		10 Watt (lecture) 7 Watt (écriture)

Divers
Normes de conformité		ICES-003 Class B, EN55024 Class B, RoHS, IEC60950/EN60950, WEEE 2012/19/EC, CNS 13438 Class B, KN32 Class B, VCCI 2015.04 Class B, KN35 Class B, CNS 15663, 47 CFR Part 15 Class B, AS/NZS CISPR32 Class B, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS, UL-60950-1 2nd Edition, EN55032 Class B

Garantie du fabricant
Service et maintenance		Garantie limitée - remplacement - 1 an

Caractéristiques denvironnement
Température minimale de fonctionnement		0 °C
Température maximale de fonctionnement		70 °C
Taux d'humidité en fonctionnement		5 - 95 % (sans condensation)
Résistance aux chocs (au repos)		1500 g @ 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos)		20 gRMS @ 5-3000 Hz

Information de compatibilité
Conçu pour		Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N

Quantité ajoutée :

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Lenovo THINKSYSTEM 2.5 7MM U.3 7450 P RO 960GB READ INTENSIVE THINKSYSTEM 2.5 7MM U.3 7450 P RO 960GB READ INTENSIVE

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