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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Caractéristiques | | Technologie 3D TLC NAND à 176 couches, Advanced ECC Engine, protection des données de bout en bout, architecture avancée de protection contre les pertes de puissance, contrôle thermique adaptatif, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 70 mm
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Profondeur | | 100 mm
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Hauteur | | 7 mm
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Poids | | 70 g
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Performances | |
| | 1
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Endurance SSD | | 1700 TB
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Classe d'entraînement | | Read Intensive
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Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture)
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| | 530000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 85000 IOPS
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Temps de latence moyen | | 15 µs
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | |
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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| | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 10 Watt (lecture) 7 Watt (écriture)
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Divers | |
Normes de conformité | | EN55024 Class B, EN55032 Class B, 47 CFR Part 15 Class B, UL-60950-1 2nd Edition, CNS 13438 Class B, CNS 15663, AS/NZS CISPR32 Class B, KN32 Class B, KN35 Class B, WEEE 2012/19/EC, IEC60950/EN60950, VCCI 2015.04 Class B, ICES-003 Class B, RoHS, SI 2016/1091 Class B, SI 2012/3032 RoHS
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Garantie du fabricant | |
| | Garantie limitée - remplacement - 1 an
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 gRMS @ 5-3000 Hz
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Information de compatibilité | |
Conçu pour | | Lenovo ThinkSystem SD650 V2 7D1M Lenovo ThinkSystem SD650-N V2 7D1N
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