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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1.6 To
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule multiniveaux (MLC)
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Format | | Profil bas
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Interface | | PCIe 3.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 4096
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Caractéristiques | | Technologie RAISE, facteur de forme demi-hauteur, demi-longueur, correction d'erreur LDPC, NVM Express (NVMe)
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Largeur | | 12.5 mm
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Profondeur | | 167 mm
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Hauteur | | 111 mm
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Poids | | 80 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 3
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Débit de transfert interne | | 2.5 Go/s (lecture) / 900 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 245000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 40000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^16
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | Profil bas
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 8.1 Watt (lecture)
8.1 Watt (écriture)
4.25 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Température de stockage mini | | -25 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 3.08 g @ 7-800 Hz
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 16.3 g @ 20-2000 Hz
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